Eine ideale Diode hat eine möglichst niedrige Durchlass-Spannung bei möglichst robustem Sperrverhalten. Die jetzt bei Henskes erhältlichen Protectifiers® von Diotec Semiconductor vereinen die niedrige Fluss-Spannung einer Schottky-Diode mit der sperrseitigen Überspannungsfestigkeit einer Spannungs-Begrenzer-Diode (Transient Voltage Suppressor – TVS).
Einsatzgebiete:
Protectifiers® sind die Lösung für verlustarme Gleichrichtung in Schaltungen mit Überspannungsspitzen. Diotec gibt die sperrseitige Impuls-Verlustleistung des Protectifiers® mit 10/1000µs Pulsen an – der typischen Impulsform zur Charakterisierung von Überspannung durch Blitzeinschlag.
Typische Anwendungen:
Die TSK2520D2
ist eine 25A / 20V Diode im TO-263AB Gehäuse. Sie weist eine Durchlass-Spannung < 0.55V bei 25A und < 0.45V bei 5A auf. Sperrseitig ist sie mit maximal 600W Impuls-Verlustleistung bei einem 10/1000µs Puls ausgewiesen, der Vorwärts-Stoßstrom kann bis zu 300A bei 10 ms betragen. Die Sperrverzugszeit ist vergleichbar niedrig wie die einer Schottky-Diode.
Die KT20A150 / KT20K150
ist ein 20A / 150V Bauteil in der Bauform TO-220AC. Die Arbeitsspannung beträgt maximal 150V bei einer Fluss-Spannung von < 0.98V bei 20A bzw. < 0.85V bei 5A. Sie ist spezifiziert für Impuls-Verlustleistungen bis 800W bei einem 10/1000µs Puls und ist damit besonders geeignet für den rauen Industrieeinsatz. Die Sperrverzugszeit ist < 250ns, was die Verwendung bis zu 40 kHz ermöglicht. Die Besonderheit der KT20 Reihe: Sie ist in zwei Ausführungen erhältlich, einmal mit der Anode an der Kühlfahne, zum anderen mit der Kathode.
Beide Ausführungen sind auch mit 120V Arbeitsspannung lieferbar.
Bei Henskes können Sie die beiden ersten Protectifiers®-Serien beziehen und Henskes-Produktmanager Joachim Simon empfiehlt Ihnen die beiden neuen Protectifiers®-Typen von Diotec und beantwortet gern Ihre Fragen dazu:
„Protectifiers® sind deutlich robuster als viele am Markt befindliche Schottky-Dioden. Die spezifizierte Überlastfähigkeit und die sperrseitige Spannungsbegrenzung sind ein großer Vorteil beim Schaltungsdesign. Potenzielle Fehlerquellen durch zu knappe Dimensionierung werden vermieden und in vielen Fällen kann sogar die Sperrspannung des MOSFETs reduziert werden. Dadurch ist auch eine Kostenreduzierung möglich.
Weitere Kombinationen von Nennstrom/Pulsfestigkeit/Gehäusebauform sind auf Wunsch erhältlich.“
18.01.2012
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