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Aktuelles von Central - CMPDM302PH und CMPDM303NH - Innovative P-Kanal und N-Kanal ENHANCEMENT MOSFETs

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Das Thema Energieeffizienz ist aktueller denn je. Durch die Kombination von Hochstromeigenschaften, kleinen GATE-Ladungen und geringem ON-Widerstand sind die neuen ENHANCEMENT MOSFETs von Central ideal für energiesensible Anwendungen geeignet, die hohe DRAIN-Ströme verlangen. Bei Fragen, Beratung und Musteranforderungen wenden Sie sich an Herrn Hans-Günter Senf.

Sie können bei Henskes Electronic Components jetzt die neuen Central-Bauteile CMPDM302PH und CMPDM303NH beziehen. Beide sind in 30V Varianten erhältlich. Alternative auch in 20V. Durch ihre Bauweise im flachen SOT-23F-Gehäuse (9% niedriger als SOT-23) sind die neuen Komponenten besonders für den platzsparenden Einbau geeignet.

CMPDM303NH
Die N-Kanal ENHANCEMENT MOSFETs CMPDM303NH zeichnen sich vor allem durch hohe Energieeffizienz und schnelle Schaltgeschwindigkeit (ton=8,7nsec) aus.

Weitere Eigenschaften
- geringer rDSon (=27mOhm @VGS=4,5V)
- Hochstrom-ID=3,6A
- kleine GATE-Ladung (Qgs=0,9nC)
- flache Bauweise durch SOT-23F-Gehäuse
- Spannung 30V

CMPDM302PH
Die wichtigsten Vorteile dieser P-Kanal ENHANCEMENT MOSFETs sind Energieeffizienz, die extrem flache Bauweise und die schnelle Schaltgeschwindigkeit (ton=16,3nsec).

Weitere Eigenschaften
- geringer rDSon (=61mOhm @VGS=4,5V)
- Hochstrom  (ID=2,4A)
- geringe GATE- Ladung (Qgs=2,6nC).
- Spannung 30V

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08.11.2011

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